| 标题 |
 Ultra-scaled MOCVD MoS2 MOSFETs with 42nm contact pitch and 250µA/µm drain current 具有42nm接触间距和250µA/µm漏极电流的超大规模MOCVD MoS2 MOSFET
相关领域
金属有机气相外延
材料科学
光电子学
拓扑（电路）
物理
电气工程
CMOS芯片
纳米技术
外延
计算机科学
图层（电子）
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊： 作者：Quentin Smets; Benjamin Groven; Matty Caymax; Iuliana Radu; Goutham Arutchelvan; et al 出版日期：2019-12-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
cdercder
Kao
123
GingerF
cat
Criminology34
OK
渡人舟
Nole
尿成一条线
东方元语
aajhajkahna
小鱼儿
贪玩的秋柔
张欢馨
牧青
Sledge
dde
ming2026
刻苦的长颈鹿
皖公网安备34019202002308
