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标题
Possibility of the existence of a topological defect in dynamic deformation of the free-standing ultrathin silicon wafer during MeV ion irradiation
MeV离子辐照自立式超薄硅片动态变形中存在拓扑缺陷的可能性
相关领域
变形（气象学） 辐照 材料科学 薄脆饼 硅 离子 放松（心理学） 结晶学 复合材料 化学 光电子学 物理 心理学 社会心理学 有机化学 核物理学
网址
https://doi.org/10.1063/5.0077180
DOI
10.1063/5.0077180 doi
其它 期刊：Journal of Applied Physics
作者：Hideaki Minagawa; H. Tsuchida
出版日期：2022-02-22
求助人
怡然的篮球 在 2025-08-29 14:28:13 发布，悬赏 10 积分
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