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  Improving the Performance of Charge Trapping Memtransistor as Synaptic Device by Ti-Doped HfO2 掺钛HfO2对电荷俘获型Memtransistor突触器件性能的改善
相关领域
材料科学
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兴奋剂
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期刊：IEEE Journal of the Electron Devices Society 作者：Yu-Che Chou; Wan-Hsuan Chung; Chien-Wei Tsai; Chin-Ya Yi; Chao-Hsin Chien 出版日期：2020-12-17 |
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