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  MoS2-based ferroelectric field-effect transistor with atomic layer deposited Hf0.5Zr0.5O2 films toward memory applications 面向存储器应用的具有原子层沉积Hf0.5Zr 0.5 O2薄膜的MoS2基铁电场效应晶体管
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期刊：AIP Advances 作者：Ming‐Yang Cha; Hao Liu; Tianyu Wang; Lin Chen; Hao Zhu; et al 出版日期：2020-06-01 |
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