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 Simulation and sesign of single event effect radiation hardening for SiGe heterojunction bipolar transistor 相关领域
光电子学
异质结双极晶体管
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期刊：Chinese Physics 作者：Pei Li; Hongxia Guo; Qi Guo; Lin Wen; Jiangwei Cui; et al 出版日期：2015-01-01 |
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