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 Temperature-dependent capacitance–voltage and current–voltage characteristics of Pt/Ga2O3 (001) Schottky barrier diodes fabricated on n––Ga2O3 drift layers grown by halide vapor phase epitaxy 卤化物气相外延n-Ga2O3漂移层上Pt/Ga2O3（001）肖特基势垒二极管的温度相关电容-电压和电流-电压特性
相关领域
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肖特基二极管
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Masataka Higashiwaki; Keita Konishi; Kohei Sasaki; Ken Goto; Kazushiro Nomura; et al 出版日期：2016-03-28 |
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