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标题
The effect of gate overlap on the device degradation in IGZO thin film transistors
栅极重叠对IGZO薄膜晶体管器件退化的影响
相关领域
材料科学 阈值电压 降级(电信) 薄膜晶体管 光电子学 压力(语言学) 栅极电压 频道(广播) 晶体管 扩散 电压 电气工程 纳米技术 图层(电子) 物理 工程类 哲学 热力学 语言学
网址
DOI
10.1016/j.microrel.2014.07.011 doi
其它 期刊:Microelectronics Reliability
作者:Dae Hyun Kim; Jong Tae Park
出版日期:2014-08-05
求助人
evens 在 2025-12-23 13:30:23 发布自湖南,悬赏 10 积分
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