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标题
The effect of gate overlap on the device degradation in IGZO thin film transistors
栅极重叠对IGZO薄膜晶体管器件退化的影响
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网址
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2014.07.011
DOI
10.1016/j.microrel.2014.07.011 doi
其它 期刊：Microelectronics Reliability
作者：Dae Hyun Kim; Jong Tae Park
出版日期：2014-08-05
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evens 在 2025-12-23 13:30:23 发布自湖南，悬赏 10 积分
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