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 High-Performance and Low-Power Sub-5 nm Field-Effect Transistors Based on the Isolated-Band Semiconductor 基于隔离带半导体的高性能低功耗亚5 nm场效应晶体管
相关领域
半导体
光电子学
场效应晶体管
材料科学
晶体管
领域（数学）
功率（物理）
电气工程
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数学
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纯数学
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期刊：ACS Applied Nano Materials 作者：Xinxin Qu; Yu Ai; Xiaohui Guo; Lin Zhu; Zhi Yang 出版日期：2025-04-03 |
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