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 Mg-implanted vertical GaN junction barrier Schottky rectifiers with low on resistance, low turn-on voltage, and nearly ideal nondestructive breakdown voltage 相关领域
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Maciej Matys; Kazuki Kitagawa; Tetsuo Narita; Tsutomu Uesugi; Jun Suda; et al 出版日期：2022-11-14 |
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