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标题
Influence of Varying Recessed Gate Height on Analog/RF Performances of a Novel Normally-Off Underlapped Double Gate AlGaN/GaN-based MOS-HEMT
不同凹栅高度对新型常关欠重叠双栅AlGaN/GaN基MOS-HEMT模拟/射频性能的影响
相关领域
跨导 高电子迁移率晶体管 材料科学 电容 光电子学 晶体管 振荡（细胞信号） 电气工程 电压 工程类 电极 物理 遗传学 量子力学 生物
网址
https://doi.org/10.1080/03772063.2024.2443031
DOI
10.1080/03772063.2024.2443031 doi
其它 期刊：IETE Journal of Research
作者：Chirayush Chakraborty; Atanu Kundu
出版日期：2024-12-21
求助人
torjain 在 2025-12-06 15:41:42 发布自湖北，悬赏 30 积分
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