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  Indium as a surfactant: Effects on growth morphology and background impurity in GaN films grown by ammonia-assisted molecular beam epitaxy 铟作为表面活性剂：对氨辅助分子束外延生长GaN薄膜生长形貌和背景杂质的影响
相关领域
铟
材料科学
分子束外延
掺杂剂
表面粗糙度
杂质
化学工程
外延
晶体生长
分析化学（期刊）
光电子学
纳米技术
图层（电子）
复合材料
兴奋剂
结晶学
化学
有机化学
工程类
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期刊：APL Materials 作者：Kai Shek Qwah; Esmat Farzana; Ashley Wissel; Morteza Monavarian; Tom Mates; et al 出版日期：2022-08-01 |
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