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Vapor phase surface preparation (etching) of 4H–SiC substrates using tetrafluorosilane (SiF4) in a hydrogen ambient for SiC epitaxy |
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期刊:Journal of Crystal Growth 作者:T. Rana; M.V.S. Chandrashekhar; Tangali S. Sudarshan 出版日期:2013-06-06 |
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