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 HEMT With Ultralow Contact Resistance by Room Temperature Process With One-Step EBL T-Shape Gates for Subterahertz Applications: Design, Fabrication, and Characterization 相关领域
制作
高电子迁移率晶体管
接触电阻
表征（材料科学）
材料科学
光电子学
过程（计算）
逻辑门
电子工程
纳米技术
计算机科学
电气工程
晶体管
工程类
电压
操作系统
医学
病理
替代医学
图层（电子）
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| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Huihua Cheng; Jing Wang; James G. Kelly; Afesomeh Ofiare; S. Thoms; et al 出版日期：2024-12-11 |
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