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 A D-Band Swing Boosting Power Detector With 25-KV/W Intrinsic Responsivity and 2.1-pW/Hz⁰.⁵ NEP in 22-nm CMOS FDSOI 22nm CMOS FDSOI中具有25kV/W本征响应和2.1 pW/Hz⁰.⁵NEP的D波段摆动升压功率探测器
相关领域
响应度
摇摆
CMOS芯片
Boosting（机器学习）
电气工程
物理
光电子学
探测器
材料科学
计算机科学
工程类
人工智能
声学
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| 其它 |
期刊：IEEE Microwave and Wireless Technology Letters 作者：Boce Lin; Kyung‐Sik Choi; Hua Wang 出版日期：2024-03-12 |
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