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Interface and Border Traps Study in Si₃N₄/AlN/GaN MIS-HEMTs With In-Situ N₂ or H₂/N₂ Plasma Pretreatment |
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Jiaofen Yang; Jing Xiao; Ming Tao; Kai Tang; Bin Zhang; et al 出版日期:2024-12-13 |
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(2025-6-4)