| 标题 |
  High-efficiency InGaN red light-emitting diodes with external quantum efficiency of 10.5% using extended quantum well structure with AlGaN interlayers 相关领域
光电子学
发光二极管
材料科学
量子效率
宽禁带半导体
量子阱
二极管
量子
光学
物理
激光器
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：D. Lee; Young‐Jin Choi; Soojin Jung; Yongmin Kim; Soo Young Park; et al 出版日期：2024-03-18 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
无极微光
DW
伯克利芙蓉王
123
吃葡萄不吐葡萄皮
aaaa
Criminology34
高贵千琴
彭于彦祖
null
舒适的如萱
152455
疯狂加载ing
学霸业
GingerF
贪玩的秋柔
OK
秋风
Link
mmmm
皖公网安备34019202002308
