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标题
Assessing the Stress Induced by Novel Packaging in GaN HEMT Devices via Raman Spectroscopy
用拉曼光谱评估GaN HEMT器件中新型封装引起的应力
相关领域
高电子迁移率晶体管 材料科学 拉曼光谱 光电子学 压力（语言学） 电气工程 晶体管 工程类 光学 物理 哲学 语言学 电压
网址
https://www.mdpi.com/2076-3417/14/10/4230/pdf?version=171586...
AI链接 mdpi.com mdpi.com doaj.orgdoi.org
DOI
10.3390/app14104230 doi
其它 期刊：Applied Sciences
作者：Zainab Dahrouch; Giuliana Malta; Moreno d’Ambrosio; Angelo Messina; Mattia Musolino; et al
出版日期：2024-05-16
求助人
mingzhi 在 2025-12-03 21:06:05 发布自辽宁，悬赏 10 积分
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