Increase fixed charge at Al2O3/Ga2O3 interface for high-performance Ga2O3 trench Schottky barrier diodes by atomic nitrogen treatment

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标题	Increase fixed charge at Al2O3/Ga2O3 interface for high-performance Ga2O3 trench Schottky barrier diodes by atomic nitrogen treatment
网址	https://doi.org/10.1063/5.0254888
DOI	10.1063/5.0254888 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Shubo Wei; Zifan Hong; Chengchao Li; Mingtao Long; Ying Li; et al 出版日期：2025
求助人	槐夏2466 在 2026-01-27 17:24:51 发布自江苏，悬赏 10 积分
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