Gate leakage mechanisms in Al2O3/SiN/AlN/GaN MIS-HEMTs on Si substrates

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标题	Gate leakage mechanisms in Al2O3/SiN/AlN/GaN MIS-HEMTs on Si substrates
网址	https://doi.org/10.1088/1674-1056/adb26d
DOI	10.1088/1674-1056/adb26d doi
其它	期刊：Chinese Physics B 作者：Hui-Lin 惠琳 Li 李; Jie-Jie 杰杰 Zhu 祝; Ling-Jie 灵洁 Qin 秦; Si-Mei 思美 Huang 黄; Shi-Yang 诗洋 Li 李; et al 出版日期：2025
求助人	waitingfor 在 2026-04-12 23:09:59 发布自江苏，悬赏 20 积分
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