Design Space of Delta-Doped β-(Al x Ga1-x )2O3/Ga2O3 High-Electron Mobility Transistors

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标题	Design Space of Delta-Doped β-(Al x Ga1-x )2O3/Ga2O3 High-Electron Mobility Transistors 相关领域兴奋剂晶体管电子迁移率材料科学光电子学三角洲电子空格（标点符号）电气工程物理凝聚态物理
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/16/9664642/09648220.pdf?...
DOI	10.1109/ted.2021.3131115 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Dawei Wang; Dinusha Herath Mudiyanselage; Houqiang Fu 出版日期：2021-12-14
求助人	XIXIXI 在 2023-01-29 22:49:05 发布自江苏，悬赏 10 积分
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