High-quality 4H–SiC epitaxial layers grown on 200-mm substrates

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标题	High-quality 4H–SiC epitaxial layers grown on 200-mm substrates
网址	http://dx.doi.org/10.1063/5.0304541
DOI	10.1063/5.0304541 doi
其它	期刊：Nanotechnology and Precision Engineering 作者：Long Yang; Boyu Zhao; Yizhou Wang; Zongwei Xu; Changku Sun 出版日期：2026-06-15
求助人	宇宙的中心在 2026-08-21 10:24:59 发布自江苏，悬赏 10 积分
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