Impact of in situ NH3 pre-treatment of LPCVD SiN passivation on GaN HEMT performance

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标题	Impact of in situ NH3 pre-treatment of LPCVD SiN passivation on GaN HEMT performance
网址	http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/ac4b17
DOI	10.1088/1361-6641/ac4b17 doi
其它	期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Ding-Yuan Chen; Axel R Persson; Kai-Hsin Wen; Daniel Sommer; Jan Grünenpütt; et al 出版日期：2022-01-25
求助人	zlren 在 2026-09-11 11:22:07 发布自新加坡，悬赏 10 积分
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