Enhanced resistive switching performance and structural evolution of NiO/Nb2O5−x bilayer memristive device

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标题	Enhanced resistive switching performance and structural evolution of NiO/Nb2O5−x bilayer memristive device NiO/Nb2O5-x双层忆阻器件的增强电阻开关性能和结构演变相关领域非阻塞I/O 双层材料科学电阻随机存取存储器记忆电阻器纳米技术光电子学凝聚态物理化学电子工程电极物理膜物理化学催化作用工程类生物化学
网址	https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2024.173889
DOI	10.1016/j.jallcom.2024.173889 doi
其它	期刊：Journal of Alloys and Compounds 作者：Chien-Hua Wang; Hung‐Yang Lo; Chun‐Wei Huang; Jui-Yuan Chen; Wen‐Wei Wu 出版日期：2024-02-15
求助人	感动的念双在 2025-06-15 14:32:54 发布自天津，悬赏 10 积分
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