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 Enhancement-mode Ga2O3 FETs with unintentionally doped (001) β-Ga2O3 channel layer grown by metal-organic chemical vapor deposition 金属有机化学气相沉积法生长具有无意掺杂（001）β-Ga2O3沟道层的增强型Ga2O3场效应晶体管
相关领域
化学气相沉积
材料科学
光电子学
阈值电压
兴奋剂
场效应晶体管
电子迁移率
图层（电子）
表面粗糙度
晶体管
沉积（地质）
金属
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电压
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Botong Li; Tiwei Chen; Li Zhang; Xiaodong Zhang; Chunhong Zeng; et al 出版日期：2024-06-14 |
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