| 标题 |
  A GaN Power Integration Platform Based on Engineered Bulk Si Substrate with Eliminated Crosstalk between High-Side and Low-Side HEMTs 基于工程体硅衬底的GaN功率集成平台，消除了高端和低端HEMT之间的串扰
相关领域
高电子迁移率晶体管
材料科学
光电子学
薄脆饼
兴奋剂
基质（水族馆）
串扰
宽禁带半导体
绝缘体上的硅
氮化镓
集成电路
硅
图层（电子）
晶体管
电气工程
电子工程
纳米技术
电压
工程类
海洋学
地质学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：Gang Lyu; Jin Wei; Wenjie Song; Zheyang Zheng; Li Zhang; et al 出版日期：2021-12-11 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
SYLH
cdercder
hjyylab
平常的毛豆
热心市民小红花
昏睡的蟠桃
coolkid
彭于彦祖
挖掘机
jenningseastera
孙燕
wangrblzu
8R60d8
MX
Singularity
bc
小茄子爷爷
hanzhipad
小粽子
Bebeans
皖公网安备34019202002308
