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标题
High Mobility TMD NMOS and PMOS Transistors and GAA Architecture for Ultimate CMOS Scaling
高迁移率TMD、NMOS和PMOS晶体管及用于CMOS扩展的GAA结构
相关领域
PMOS逻辑 NMOS逻辑 CMOS芯片 晶体管 缩放比例 建筑 材料科学 电气工程 光电子学 计算机科学 电子工程 计算机体系结构 工程类 电压 数学 几何学 艺术 视觉艺术
网址
DOI
10.1109/iedm45741.2023.10413662 doi
其它 期刊:
作者:Ashish V. Penumatcha; Kevin O’Brien; K. Maxey; Wouter Mortelmans; Rachel C. Steinhardt; et al
出版日期:2023-12-09
求助人
马家辉 在 2024-05-12 17:40:10 发布自陕西,悬赏 10 积分
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