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 Reaction Mechanism Analysis of Si Selective Etching for Gate-All-Around Transistors by Molecular Simulations 全栅晶体管硅选择性刻蚀反应机理的分子模拟分析
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期刊：Diffusion and defect data, solid state data. Part B, Solid state phenomena/Solid state phenomena 作者：Daisuke Yuhara; Keisuke Ikeda; Masayoshi Mikami; Kazuya Shiratori; Hiroyuki Shirae; et al 出版日期：2023-08-14 |
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