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标题
Gate Voltage- and Bias Voltage-Tunable Staggered-Gap to Broken-Gap Transition Based on WSe2/Ta2NiSe5 Heterostructure for Multimode Optoelectronic Logic Gate
基于WSe2/Ta2NiSe5异质结构的栅压和偏压可调交错带隙到断隙转变的多模光电逻辑栅
相关领域
光电子学 光探测 异质结 材料科学 堆积 电压 光电探测器 电气工程 物理 核磁共振 工程类
网址
https://doi.org/10.1021/acsnano.4c02923
DOI
10.1021/acsnano.4c02923 doi
其它 期刊：ACS Nano
作者：Tiejun Zhu; Kai Li; Yao Zhang; Shaoping Meng; Mengfei He; et al
出版日期：2024-04-17
求助人
哭泣的山菡 在 2024-04-26 15:24:13 发布自安徽，悬赏 10 积分
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