Defect engineering in NiO/β-Ga2O3 p-n heterojunction diodes via post-deposition annealing for power electronics

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标题	Defect engineering in NiO/β-Ga2O3 p-n heterojunction diodes via post-deposition annealing for power electronics
网址	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2026.110743
DOI	10.1016/j.mssp.2026.110743 doi
其它	期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Seung-Hyun Park; Chowdam Venkata Prasad; Minseok Kim; Soo-Young Moon; Ji-Hyun Kim; et al 出版日期：2026
求助人	Chen_Sam 在 2026-05-22 17:13:57 发布自广东，悬赏 10 积分
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Society for Industrial and Applied Mathematics (SIAM)

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