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 64% AlGaN Channel HFET With High Johnson’s Figure of Merit (>6 THz·V) 相关领域
功勋
材料科学
光电子学
频道（广播）
电气工程
工程类
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Jiahao Chen; Parthasarathy Seshadri; Kenneth Stephenson; Md Abdullah Mamun; Ruixin Bai; et al 出版日期：2025-02-13 |
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(2025-6-4)
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