A Novel O2/N2 Plasma Photoresist Ashing Process with High Stripping Rate and Uniformity under Radio Frequency Bias Voltage

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标题	A Novel O2/N2 Plasma Photoresist Ashing Process with High Stripping Rate and Uniformity under Radio Frequency Bias Voltage
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/10666972/10667660/106684...
DOI	10.1109/icept63120.2024.10668447 doi
其它	期刊：2024 25th International Conference on Electronic Packaging Technology (ICEPT) 作者：Jianwei Xian; Huiqian Zhou; Minbo Zhou; Xinping Zhang 出版日期：2024-09-24
求助人	zhai957 在 2026-05-12 17:12:50 发布自美国，悬赏 10 积分
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