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标题
Energy-band-structure calculation by below-band-gap spectrophotometry in thin layers of non-crystalline semiconductors: A case study of unhydrogenated a-Si
非晶半导体薄层中带隙下分光光度法能带结构计算：以非氢化a-Si为例
相关领域
带隙 折射率 透射率 材料科学 半导体 衰减系数 薄膜 光子能量 凝聚态物理 半金属 光学 光电子学 光子 物理 纳米技术
网址
https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2022.121803
DOI
10.1016/j.jnoncrysol.2022.121803 doi
其它 期刊：Journal of Non-Crystalline Solids
作者：Manuel Ballester; Almudena P. Márquez; C. García-Vázquez; José Manuel Díaz Moreno; E. Blanco; et al
出版日期：2022-07-21
求助人
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