| 标题 |
 Modeling Analysis and Geometric Investigation of SOI FinFET for RF/AF Parameters SOI FinFET RF/AF参数的建模分析和几何研究
相关领域
跨导
绝缘体上的硅
材料科学
电导
电容
泊松方程
光电子学
基质（水族馆）
边值问题
MOSFET
电压
硅
电气工程
晶体管
凝聚态物理
物理
数学
数学分析
工程类
海洋学
电极
量子力学
地质学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Silicon 作者：Nishant Srivastava; Prashant Mani 出版日期：2022-01-07 |
| 求助人 |
11234
在
2025-08-30 13:45:00 发布，悬赏 10 积分
|
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
不配.
不想干活
linkman
顺利的琳
小青椒
Meyako
子车茗
xjcy
小伊娃
eric888
七月流火
Dean
科研小废物
罗罗
pluto
柴桑青木
Alice
核桃
鸣笛
..
皖公网安备34019202002308
