| 标题 |
  Design considerations of intra-step SiGeSn/GeSn quantum well electroabsorption modulators 步内SiGeSn/GeSn量子阱电吸收调制器的设计考虑
相关领域
功勋
量子阱
吸收（声学）
光电子学
量子限制斯塔克效应
材料科学
消光比
电压
异质结
光学
物理
化学
量子力学
波长
激光器
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Applied Physics 作者：Zhichao Chen; Z. Ikonić; D. Indjin; R. W. Kelsall 出版日期：2021-10-20 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
无极微光
DW
null
152455
aaaa
mmmm
花开富贵
Criminology34
aajhajkahna
雨落千年
秋风
v0id
LYSM
小情绪
04d
七听
invisight
极限001
茶叶渣显示今天有雨
xing_xing
皖公网安备34019202002308
