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 Significant Lifetime Improvement of Negative Bias Thermal Instability by Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition SiN in Stress Memorization Technique 应力均匀化技术中等离子体增强原子层沉积Si显着提高负偏热不稳定性的寿命
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期刊：IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing 作者：Chenghao Liang; Zhao-Yang Li; Hao Liu; Yu-Long Jiang 出版日期：2024-05-07 |
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