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Tunable-performance all-oxide structure field-effect transistor based atomic layer deposited Hf-doped In2O3 thin films 基于全氧化物结构场效应晶体管的原子层沉积掺Hf In2O3薄膜的可调谐性能
相关领域
材料科学
光电子学
晶体管
兴奋剂
生产线后端
原子层沉积
氧化物
压力(语言学)
图层(电子)
纳米技术
制作
场效应晶体管
电气工程
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病理
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期刊:Journal of Chemical Physics 作者:Jiyuan Zhu; Huolin Shen; Bojia Chen; Yu Zhang; Shice Wei; et al 出版日期:2023-11-02 |
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