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 Epitaxial growth of high-quality GaN/AlN heterostructure for the development of AlN-back barrier high-electron-mobility-transistor 外延生长用于AlN背垒高电子迁移率晶体管的高质量GaN/AlN异质结构
相关领域
异质结
材料科学
光电子学
外延
晶体管
电子迁移率
质量（理念）
纳米技术
电气工程
电压
图层（电子）
物理
工程类
量子力学
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期刊：CrystEngComm 作者：Sitong Chen; Qiushuang Chen; Fang Ye; Ge Gao; Lixia Chen; et al 出版日期：2025-01-01 |
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