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 Influences of p-type layer structure and doping profile on the temperature dependence of the foward voltage characteristic of GaInN light-emitting diode 相关领域
材料科学
发光二极管
二极管
光电子学
电压
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兴奋剂
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外延
光学
物理
复合材料
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期刊：Acta Physica Sinica 作者：Mao Qinghua; Junlin Liu; Quan Zhi-Jue; Xiaoming Wu; Zhang Meng; et al 出版日期：2015-01-01 |
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