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 Physical Insights Into Electron Trapping Mechanism in the Carbon-Doped GaN Buffer in AlGaN/GaN HEMTs and Its Impact on Dynamic On-Resistance AlGaN/GaN HEMTs中掺碳GaN缓冲液中电子俘获机制及其对动态导通电阻影响的物理研究
相关领域
俘获
材料科学
光电子学
电子
兴奋剂
电场
泄漏（经济）
宽禁带半导体
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氮化镓
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电气工程
物理
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Vipin Joshi; Rajarshi Roy Chaudhuri; Sayak Dutta Gupta; Mayank Shrivastava 出版日期：2023-05-08 |
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