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标题
Single event upset characteristics and physical mechanism for nanometric SOI SRAM induced by space energetic ions
空间高能离子诱导纳米SOI SRAM的单事件扰动特性及物理机制
相关领域
心烦意乱 单事件翻转 离子 绝缘体上的硅 静态随机存取存储器 原子物理学 物理 材料科学 线性能量转移 电子 离子轨道 硅 核物理学 光电子学 电气工程 工程类 法学 量子力学 政治学
网址
https://doi.org/10.7498/aps.66.246102
DOI
10.7498/aps.66.246102 doi
其它 期刊：Acta Physica Sinica
作者：Zhangang Zhang; Lei Zhi-Feng; Yue Long; Yuan Liu; Yujuan He; et al
出版日期：2017-01-01
求助人
hug 在 2025-10-30 09:20:23 发布自河北，悬赏 10 积分
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