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 Improved Resistive Switching Characteristics of NiO Resistance Random-Access Memory Using Post-Plasma-Oxidation Process 利用后等离子体氧化工艺改善镍阻随机存储器的阻变特性
相关领域
非阻塞I/O
电阻随机存取存储器
材料科学
氧气
光电子学
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随机存取存储器
化学工程
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Koichiro Okamoto; Munehiro Tada; Kimihiko Ito; H. Hada 出版日期：2011-04-01 |
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