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 Indium-Tin-Oxide Thin-Film Transistors With High Field-Effect Mobility (129.5 cm2/V⋅s) and Low Thermal Budget (150 °C) 具有高场效应迁移率（129.5 cm2/V⋅s）和低热收支（150°C）的铟锡氧化物薄膜晶体管
相关领域
氧化铟锡
材料科学
物理
光电子学
拓扑（电路）
电气工程
分析化学（期刊）
数学
纳米技术
组合数学
化学
薄膜
工程类
有机化学
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Kaizhen Han; Yuye Kang; Xuanqi Chen; Yue Chen; Xiao Gong 出版日期：2023-11-02 |
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