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 A 1.3 dB NF 7.7 mW 28 GHz LNA in 22 nm FDSOI Technology using Redistribution Layer Gate Inductor 采用再分布层栅电感的22 nm FDSOI技术的1.3 dB NF 7.7 mW 28 GHz低噪声放大器
相关领域
电感器
共栅
电气工程
噪声系数
Q系数
放大器
光电子学
低噪声放大器
绝缘体上的硅
材料科学
电子工程
CMOS芯片
工程类
硅
电压
谐振器
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期刊： 作者：Indrajit Das; Shashank Tiwari; K. T. Muhammed Shafi; Varuna Baipadi; Venkata Vanukuru 出版日期：2022-12-11 |
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