TCAD evaluation of single-event burnout hardening design for SiC Schottky diodes

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标题	TCAD evaluation of single-event burnout hardening design for SiC Schottky diodes SiC肖特基二极管单事件烧毁硬化设计的TCAD评估相关领域材料科学光电子学硬化（计算）肖特基二极管倦怠肖特基势垒工程物理电子工程可靠性工程二极管工程类复合材料汽车工程图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114865
DOI	10.1016/j.microrel.2022.114865 doi
其它	期刊：Microelectronics Reliability 作者：Jia-Hao Chen; Ying Wang; Haomin Guo; Xin-Xing Fei; Cheng‐Hao Yu; et al 出版日期：2022-11-14
求助人	福旺云吞在 2025-12-04 13:54:20 发布自贵州，悬赏 10 积分
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