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标题
TCAD evaluation of single-event burnout hardening design for SiC Schottky diodes
SiC肖特基二极管单事件烧毁硬化设计的TCAD评估
相关领域
材料科学 光电子学 硬化（计算） 肖特基二极管 倦怠 肖特基势垒 工程物理 电子工程 可靠性工程 二极管 工程类 复合材料 汽车工程 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114865
DOI
10.1016/j.microrel.2022.114865 doi
其它 期刊：Microelectronics Reliability
作者：Jia-Hao Chen; Ying Wang; Haomin Guo; Xin-Xing Fei; Cheng‐Hao Yu; et al
出版日期：2022-11-14
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福旺云吞 在 2025-12-04 13:54:20 发布自贵州，悬赏 10 积分
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