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  Simulation of Normally-Off Vertical GaN MOSFET with a Novel Enhanced Sidewall Channel by Selective Area Growth 用选择性区域生长法模拟具有新型增强型侧壁沟道的常关垂直GaN MOSFET
相关领域
材料科学
MOSFET
频道（广播）
光电子学
短通道效应
纳米技术
晶体管
电气工程
工程类
电压
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期刊：Micromachines 作者：Jiyao Du; Taofei Pu; Xiaobo Li; Liuan Li; Jinping Ao; et al 出版日期：2025-01-17 |
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