Implication logic gates using spin-transfer-torque-operated magnetic tunnel junctions for intrinsic logic-in-memory

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标题	Implication logic gates using spin-transfer-torque-operated magnetic tunnel junctions for intrinsic logic-in-memory
网址	https://doi.org/10.1016/j.sse.2013.02.017
DOI	10.1016/j.sse.2013.02.017 doi
其它	期刊：Solid-State Electronics 作者：Hiwa Mahmoudi; Thomas Windbacher; Viktor Sverdlov; Siegfried Selberherr 出版日期：2013
求助人	科研小能手在 2026-01-20 15:59:44 发布自安徽，悬赏 10 积分
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