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标题
Analysis of HBM Failure in 3D NAND Flash Memory
相关领域
NMOS逻辑 静电放电 与非门 闪光灯(摄影) 材料科学 可靠性(半导体) 电子工程 逻辑门 光电子学 电气工程 工程类 晶体管 电压 光学 物理 功率(物理) 量子力学
网址
DOI
10.3390/electronics11060944 doi
其它 期刊:Electronics
作者:Biruo Song; Zhiguo Li; Xin Wang; Xiang Fu; Fei Liu; et al
出版日期:2022-03-18
求助人
gang 在 2026-01-08 20:41:31 发布自北京,悬赏 10 积分
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