Atomic-level based non-ionizing energy loss: an application to GaAs and GaN semiconductor materials

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标题	Atomic-level based non-ionizing energy loss: an application to GaAs and GaN semiconductor materials
网址	https://doi.org/10.1117/12.2324351
DOI	10.1117/12.2324351 doi
其它	期刊：Infrared Sensors, Devices, and Applications VIII 作者：Arvind I. D'Souza; Priyalal Wijewarnasuriya; Paul D. LeVan; Paul D. LeVan; Eric R. Heller; et al 出版日期：2018
求助人	Ricky 在 2026-02-28 00:57:21 发布自北京，悬赏 20 积分
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