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Influence of the active TaN/ZrO x /Ni memristor layer oxygen content on forming and resistive switching behavior |
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期刊:Nanotechnology 作者:V A Voronkovskii; V S Aliev; A K Gerasimova; T V Perevalov; I P Prosvirin; D R Islamov 出版日期:2020-11-28 |
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(2025-6-4)