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  Performance Comparison of Au-Based and Au-Free AlGaN/GaN HEMT on Silicon 硅基和无金AlGaN/GaN HEMT的性能比较
相关领域
高电子迁移率晶体管
材料科学
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分析化学（期刊）
物理
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：S Niranjan; Ankit Rao; R. Muralidharan; Prosenjit Sen; Digbijoy N. Nath 出版日期：2022-01-17 |
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